Подобно тому, как усердно MediaTek работает над высококлассным чипсетом Helio X30, конкуренты из Qualcomm не менее упорно трудятся над своим Snapdragon 830 следующего поколения, чтобы тот стал фишкой флагманов в новом году. SD 830 давно стал предметом слухов о спецификациях, которые не прекращаются и сейчас, сообщает ITbukva.com.

Недавно пользователь Weibo поделился информацией, которая подтверждает, что для нового Snapdragon будут использовать процесс 10нм и что чипсет следующего поколения появится в доступе в 2017 году.

SD830, вероятнее всего, будет объявлен позже в этом году, но на рынок выйдет в следующем, что может быть связано с Galaxy S8, флагманом Samsung.

Ранее предполагалось, что для новинки будет использованы процесс 10nm FinFET и архитектура Kyro 200, графика Adreno 540, полоса X16, которая, как утверждается, способна давать скорость загрузки до 980 Мб/с, память LPDDR4X, поддержка видеозаписей 4Kх2K/60fps, в два раза высшие производительность и функциональность.

Поскольку при разработке X30 от MediaTek якобы использован тот же процесс 10нм, нельзя сказать, какой из двух чипов окажется более мощным. И все же, процессор SD 830, как полагают, будет отличаться значительным сокращением энергопотребления в смартфонах, а также даст возможность управления нагревом.