Они состоят из шести 4-гигабитных чипов, изготовленных по 20-нм технологическим нормам и размещенных по двум наборам из трех микросхем. Толщиной этой конструкции составляет всего 0,8 мм, что по достоинству оценят производители мобильных устройств, стремящихся сделать свои гаджеты предельно тонкими и сэкономить место для других компонентов.
По словам разработчиков, максимальная пропускная способность новой оперативной памяти составляет 2,1 Мбит/с. Процессор в смартфоне и планшете будет подключаться к такой памяти по двум симметричным каналам с раздельным доступом каждого к 1,5 Гб памяти.
В Samsung говорят, что росту объема ОЗУ в мобильной электронике способствуют общемировое развитие LTE-сетей и популярность видео высокой четкости. Аппараты с 3 Гб "оперативки" появятся на рынке во второй половине 2013 года.
Первым таким устройством, согласно прежним слухам, станет "планшетофон" Galaxy Note 3. В нем также ожидаются новая однокристальная система Exynos 5420 и 5,7-дюймовый дисплей Super AMOLED с разрешением 1920 х 1080 пикселей.
По материалам TheInquirer