Qualcomm объявляет о Snapdragon 835 с Quick Charge 4.0

Компания Qualcomm представила свой чипсет следующего поколения для высокопроизводительных смартфонов - Snapdragon 835. Построенный в сотрудничестве с Samsung, использующим свой новый 10-нанометровый процесс FinFET, чип обещает улучшить производительность и энергию Snapdragon 820 и 821 с 14-нм FinFE, и будет устанавливаться в устройствах в первой половине следующего года, сообщает ITbukva.com.

Новый дизайн обещает увеличение производительности на 27% при использовании на 40% меньше энергии, чем его предшественник, что должен привести к улучшению времени автономной работы.

Snapdragon 835 также позволит заряжать смартфоны быстрее благодаря введению Quick Charge 4, которая, предположительно, может предложить на 20% более быстрое время зарядки и поставить до 5 часов автономной работы всего за 5 минут зарядки.

Это, конечно, внушительное утверждение, но мы должны поставить испытания сами. Компания Qualcomm делает это утверждение, основываясь на внутреннем тестировании на батарее 2750 мАч.

Подобно тому, как важно, чтобы быстрая зарядка являлось безопасной, и в свете последних бед с Samsung, Qualcomm воспользовался возможностью, чтобы обсудить безопасность Quick Charge 4.0:

Компания Qualcomm не говорит о каких-либо партнерах устройств, но вероятные кандидаты включают в себя предстоящие флагманские телефоны от Samsung, Galaxy S8. Snapdragon 820 и 821 используются в таких устройствах, как Samsung Galaxy S7, LG G5, HTC 10 и Lenovo Phab 2 Pro.