Snapdragon 830, использующий технологию 10нм, выйдет в начале следующего года?

Подобно тому, как усердно MediaTek работает над высококлассным чипсетом Helio X30, конкуренты из Qualcomm не менее упорно трудятся над своим Snapdragon 830 следующего поколения, чтобы тот стал фишкой флагманов в новом году. SD 830 давно стал предметом слухов о спецификациях, которые не прекращаются и сейчас, сообщает ITbukva.com.

Недавно пользователь Weibo поделился информацией, которая подтверждает, что для нового Snapdragon будут использовать процесс 10нм и что чипсет следующего поколения появится в доступе в 2017 году.

SD830, вероятнее всего, будет объявлен позже в этом году, но на рынок выйдет в следующем, что может быть связано с Galaxy S8, флагманом Samsung.

Ранее предполагалось, что для новинки будет использованы процесс 10nm FinFET и архитектура Kyro 200, графика Adreno 540, полоса X16, которая, как утверждается, способна давать скорость загрузки до 980 Мб/с, память LPDDR4X, поддержка видеозаписей 4Kх2K/60fps, в два раза высшие производительность и функциональность.

Поскольку при разработке X30 от MediaTek якобы использован тот же процесс 10нм, нельзя сказать, какой из двух чипов окажется более мощным. И все же, процессор SD 830, как полагают, будет отличаться значительным сокращением энергопотребления в смартфонах, а также даст возможность управления нагревом.